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常用半导体器件
半导体基础知识
本征半导体
概念: 具有晶体结构的半导体称为本征半导体
1.什么是载流子?
chat关于载流子的比喻:
所以载流子就是半导体材料中可以自由移动的粒子，也就是自由电子和空穴。
2.本征激发:半导体在热激发下产生自由电子和空穴的过程称为本征激发(我理解成有了外部能量后，发生了熵增反应，自发的从有序态变成了无序态，产生了自由电子和空穴)
3.载流子和温度的关系：温度越高，本征激发越剧烈，载流子越多，因此稳定越高，他的本征半导体的导电性越好
可以有以下公式：
(有点糊)
杂志半导体
N型半导体
1.N型半导体：P取代了本征半导体中的Si原子，而太多出的一个电子，不受共价键束缚，更易受激发变成自由电子，所以N型半导体的导电性更好
2.N型半导体中的多子少子:因为N型半导体中含有大量的+5价P元素多出的电子，所以自由电子的数量远大于空穴的数量。所以自由电子为多数载流子，空穴为少数载流子，简称多子少子
P型半导体
1.P型半导体：同理，P和三价元素如B，形成共价键时会少一个电子，也就是会产生更多的空穴，载流子中空穴就是多子，自由电子就是少子
PN结
1.扩散运动：即熵增运动，记得以前在上化学网课的时候，世界的运动总是朝着熵增加的方向进行，所以扩散运动就是载流子从高浓度区域向低浓度区域的移动。
2.空间电荷区:在PN结中，由于扩散运动的存在，会在PN结的两端形成空间电荷区，也就是正负载流子相遇的区域
我有点不理解空间电荷区，所以附上介绍CSDN：空间电荷区和耗尽区
ok,看完后我又有点懂了，就是PN结，P区和N区交界处，由于扩散运动，载流子向对面移动了，所以就形成了正电荷区和负电荷区，合起来就是空间电荷区
PN结的单向导电性
1.正向偏置:外加电压的方向与PN结的扩散运动方向相同，所以正向偏置时，空间电荷区会变窄,从而减小了PN结的电阻，正向偏置时，PN结相当于短路
2.反向偏置:外加电压的方向与PN结的扩散运动方向相反，所以反向偏置时，空间电荷区会变宽,从而增大了PN结的电阻
3.教材中关于PN结的电流公式：
.
4.PN结中的电容效应：
介绍视频:PN结电容效应
5.关于PN结的击穿：介绍视频：PN结击穿效应
PN结点的击穿效应郑益惠老师讲得也很不错，可以跳过去看看，上面这个老外讲得更形象
总结：雪崩击穿就是随着电压的不断增加，PN结的自由电子活动的足够大的动能去撞击共价键中形成的自由电子，量变引起质变，从而在某一电压下电流成质数级增加这就是雪崩效应
电容效应还没细研究，等上课了在补回来
突然想起郑益惠老师，在开头讲的PNP管的三个作用：放大，开关，电源，后面，两个对应的就是偏置作用和电容效应
